- Tytuł:
- Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs
- Współwytwórcy:
-
Tłaczała, Marek
Zborowska-Lindert, Iwona
Bielak, Katarzyna
Badura, Mikołaj
Dawidowski, Wojciech
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata - Data publikacji:
- 2014
- Dostawca treści:
- Academica