Wszystkie pola: Orłowska, Elżbieta

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties
Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Skwarcz Jerzy
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: transition metal
własności elektryczne
dielectric properties
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krzemowa warstwa epitaksjalna
metal przejściowy
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: MST News Poland 1996 nr 1
Silicon for MST applications
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Zabierowski Piotr
Data publikacji:: 1996
Wydawca:: Institute of Electronic Materials Technology
Słowa kluczowe:: epitaxy
MST
krzem porowaty
porous silicon
epitaksja; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1983 nr 4(44)
Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju
Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Data publikacji:: 1984
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
CVD
VLSI
Electronic - journal - materials
parametry struktur epitaksjalnych
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego = Silicon epitaxial layers for nuclear radiation detectors
Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Si
warstwa epitaksjalna
detektor promieniowania jądrowego
epitaxial layer
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
nuclear radiation detector
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Fotoluminescencja krzemu porowatego = Photoluminescence from porous silicon
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Fotoluminescencja krzemu porowatego
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: fotoluminescencja
krzem porowaty
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
photoluminescence
porous silicon
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych
Materiały Elektroniczne 1977 nr 4(20)
Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lachowski Andrzej
Łazowy Barbara
Data publikacji:: 1977
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
epitaxial junction
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
złącze epitaksjalne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors
Materiały Elektroniczne 1986 nr 4(56)
Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Sarnecki Jerzy
Skwarcz Jerzy
Data publikacji:: 1987
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
Elektronika - czasopismo - materiały
domieszkowanie
Materiały elektroniczne
Electronic materials
epitaxial layers
As doped
As
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4
Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements =
Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Sarnecki Jerzy
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1992
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
epitaxial layer
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
czas życia nośników
minority carrier lifetime
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu
Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Szymkiewicz Andrzej
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: autodoping
Elektronika - czasopismo - materiały
samodomieszkowanie
Materiały elektroniczne
Electronic materials
epitaksja Si
CVD
Si epitaxy
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology
Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych
Materiały Elektroniczne 1978 nr 1(21)
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Tomaszewski Jerzy
Grudzieński Andrzej
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: reversed epitaxy
Si
epitaksja odwrotna
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
CVD
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Orłowska, Elżbieta" wg kryterium: Wszystkie pola