- Tytuł:
-
Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym - Autorzy:
- Wójcik Marek
- Współwytwórcy:
-
Rudziński Mariusz
Gaca Jarosław
Strupiński Włodzimierz - Data publikacji:
- 2012
- Wydawca:
- ITME
- Słowa kluczowe:
-
interfejs
heterostructure
inteface
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
heterostruktura
GaN
Electronic - journal - materials
HRXRD
Elektronika - czasopismo - materiały
InGaN - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka