Temat: high electron mobility transistor - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "high electron mobility transistor" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-7 z 7

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN
Autorzy:: Taube, A.
Szmidt, J.
Piotrowska, A.
Sochacki, M.
Kamińska, E.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: azotek galu
HEMT
AlGaN
modelowanie
gallium nitride
high electron mobility transistor
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: azotek galu
HEMT
AlGaN
modelowanie
gallium nitride
high electron mobility transistor
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN : wpływ przewodności cieplnej podłoża
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: azotek galu
HEMT
high electron mobility transistor
AlGaN
modelowanie
gallium nitride
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice
Autorzy:: Taube, A.
Kamińska, E.
Ekielski, M.
Piotrowska, A.
Wojtasiak, W.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: azotek galu
HEMT
tranzystor
elektronika mocy
mikrofale
energoelektronika
gallium nitride
high electron mobility transistor
power electronics
microwaves; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
Autorzy:: Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: azotek galu
GaN
E-HEMT
przekształtnik obniżający
napięcie
straty mocy
gallium nitride
enhancement mode
high electron mobility transistor E-HEMT
DC/DC converters
power losses; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
Autorzy:: Kral, J.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: ultraszerokopasmowy
linia transmisyjna
rozłożony wzmacniacz kaskadowy
tranzystor polowy
tranzystor polowy z nośnikami o dużej ruchliwości
HEMT
wzmocnienie mocy
ultrabroadband
transmission line
cascaded single stage distributed amplifier
high electron mobility transistor
power gain; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-7 z 7

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies