Temat: reactive ion etching

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Reactive ion etching of GaN and AlGaN/GaN assisted by Cl2/BCl3
Autorzy:: Gryglewicz, J.
Oleszkiewicz, W.
Ramiączek-Krasowska, M.
Szyszka, A.
Prażmowska, J.
Paszkiewicz, B.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: plasma
RIE
reactive ion etching
Cl2
BCl3
HEMT; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon
Autorzy:: Kalisz, M.
Beck, R. B.
Barcz, A.
Ćwil, M.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: fluorine
reactive ion etching
silicon fluoride
boron thermal diffusion
fluorocarbon plasma; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wykorzystanie reaktywnego trawienia jonowego płytek szafirowych dla potrzeb biologii molekularnej.
Autorzy:: Rapiejko, C.
Mitura, A.
Majak, P.
Hassard, J.
Mitura, S.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: trawienie jonowe
reaktywne trawienie jonowe
płytka szafirowa
biologia molekularna
anizotropia
ion etching
reactive ion etching
saphire substrates
molecular biology
anisotropy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃
Autorzy:: Gryglewicz, J.
Oleszkiewicz, W.
Wośko, M.
Szyszka, A.
Paszkiewicz, B.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: reaktywne trawienie jonowe
plazma
DC bias
heterostruktura AlGaN/GaN
reactive ion etching
plasma
AlGaN/GaN heterostructure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS
Autorzy:: Kalisz, M.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: plazma wysokiej częstotliwości
bardzo płytka implantacja jonów
profile rozkładu fluoru
reaktywne trawienie jonowe
RF plasma
ultra-shallow ion implantation
fluore distribution profiles
ion energy spectrum
reactive ion etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja