- Tytuł:
- Quantum yield enhancement in AlGaN(n)/GaN(p) UV photodetector with position-dependent energy band gap
- Autorzy:
- Małachowski, M. J.
- Data publikacji:
- 2000
- Słowa kluczowe:
-
półprzewodnik
gradient przerwy energetycznej
detektor p-n promieniowania ultrafioletowego
(Ga,Al)N semiconductor
energy band grading
ultraviolet p-n detector - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł