Wszystkie pola: Pągowska, K.

Skocz do pozycji: 1.

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
Autorzy:: Turos, A.
Ratajczak, R.
Pągowska, K.
Nowicki, L.
Stonert, A.
Caban, P.
Data publikacji:: 2011-07
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: RBS/Channeling and TEM Study of Damage Buildup in Ion Bombarded GaN
Autorzy:: Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Turos, A.
Nowicki, L.
Sathish, N.
Jóźwik, P.
Muecklich, A.
Data publikacji:: 2011-07
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
Autorzy:: Wójcik, M.
Gaca, J.
Wierzbicka, E.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Sathish, N.
Pągowska, K.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: HRXRD
implementacja jonowa
dyfrakcja
ion implantation
diffraction; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:: Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: LP MOVPE
GaN
4H-SiC; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
Autorzy:: Barcz, A.
Pągowska, K.
Kozubal, M.
Guziewicz, E.
Borysiewicz, M.
Dyczewski, J.
Jakieła, R.
Ratajczak, J.
Snigurenko, D.
Dynowska, E.
Data publikacji:: 2015-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.82.Fk
61.85.+p
68.35.Dv; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Fluorki. Metoda oznaczania fluorków we frakcji wdychalnej i respirabilnej aerozoli w środowisku pracy z zastosowaniem chromatografii jonowej
Fluoride. Determining fluorides in the inhalable and respirable aerosol fraction in the working environment with ion chromatography
Autorzy:: Szewczyńska, M.
Pągowska, E.
Pyrzyńska, K.
Pośniak, M.
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:: fluorki
metoda analityczna
metoda chromatografii jonowej
powietrze na stanowiskach pracy
fluorides
analytical method
ion chromatography
workplaces air; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Informacja