Wszystkie pola: etching process

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Halloysite-based system for controlled delivery of clindamycin phosphate
Autorzy:: Karewicz, Anna
Machowska, Adrianna
Klara, Joanna
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
Tematy:: halloysite
nanotubes
etching process
haloizyt
nanorurki
proces trawienia; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: The use of one-component plasma in the ICP-RIE etching process of periodic structures for applications in photodetector arrays
Autorzy:: Różycka, Marta
Jasik, Agata
Kozłowski, Paweł
Bracha, Krzysztof
Ratajczak, Jacek
Wierzbicka-Miernik, Anna
Data publikacji:: 2023
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
Tematy:: ICP-RIE
dry etching
type II InAs/GaSb superlattice
BCl3; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: The etching process of the surface of Ti6Al7Nb alloy in SF6 plasma and its influence on the selected properties
Autorzy:: Borowska, Adrianna
Płusa, Natalia
Jędrzejczak, Anna
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: The creation of zone of pure iron as the effect of denitriding of iron nitrides [epsilon]+[gamma] layer in the ion etching process
Powstawanie warstwy żelaza jako efekt odazotowania warstwy azotków żelaza [epsilon]+[gamma] w procesie trawienia jonowego
Autorzy:: Smolik, J.
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Eksploatacji - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: warstwa azotowana
azotowanie jarzeniowe
trawienie jonowe
nitrided layer
ion nitriding
ion etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Analiza wpływu trawienia powierzchni w procesie sputteringu magnetronowego
Etching effect analysis in the process of magnetron sputtering
Autorzy:: Grudniewski, T.
Chodyka, M.
Lubańska, Z.
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:: trawienie powierzchni
sputtering magnetronowy
surface etching
sputtering magnetron; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu
Bosch process for silicon plasma etching
Autorzy:: Góra, K.
Kozłowski, A.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: proces Boscha
ICP
trawienie plazmowe krzemu
współczynnik kształtu
Bosch process
plasma etching
high aspect ratio
silicon etched profile; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties
Autorzy:: Schwalke, U.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: high-k dielectrics
CMOS
Pr2O3
process integration
resist removal
wet chemical cleaning
wet chemical etching
RIE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Informacja