Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "photoinduced spectroscopy" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Error analysis of the parameters of the defekt centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS
Autorzy:
Pawłowski, M.
Suproniuk, M.
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
PITS
centrum defektowe
półprzewodnik wysokorezystywny
adekwatność modelu
defect center
semi-insulating material
model adequacy
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie transformacji Hougha do analizy dwuwymiarowych widm PITS
Implementation of the Hough transformation to the analysis of two-dimensional PITS spectra
Autorzy:
Pawłowski, M.
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
metoda niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej
analiza dwuwymiarowych widm PITS
rozpoznawanie obrazów
zastosowanie transformacji Hough'a
analiza korelacyjna powierzchni widmowej
wyznaczanie parametrów centrów defektowych
materiał wysokorezystywny
photoinduced transient spectroscopy
pattern recognition
high-resistivity materials
implementation of the Hough transformation
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V
Effect of photon energy on image of spectral fringes obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals
Autorzy:
Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
PITS
centra defektowe
półizolujący SiC
defect centres
SI SiC
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies