- Tytuł:
-
Modelling of spintronic devices for application in random access memory
Modelowanie urządzeń spintronicznych do zastosowania w pamięci o dostępie swobodnym RAM - Autorzy:
-
Politanskyi, Ruslan
Vistak, Maria
Veryga, Andriy
Ruda, Tetyana - Data publikacji:
- 2020
- Wydawca:
- Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
- Tematy:
-
STT-MRAM
spin-polarized current
binary symmetric channel
prąd spolaryzowany spinowo
symetryczny kanał binarny - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł