- Tytuł:
- Rapid NEGF-based calculation of ballistic current in ultra-short DG MOSFETs for circuit simulation
- Autorzy:
-
Hosenfeld, F.
Horst, F..
Graef, M.
Farokhnejad, A.
Kloes, A.
Iniguez, B.
Lime, F. - Data publikacji:
- 2016
- Wydawca:
- Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
- Tematy:
-
ultra-short Double-Gate MOSFET
nonequilibrium Green's function
NEGF
ballistic transport
source-to-drain tunneling
ultra-thin body
UTB
compact model
multi-scale simulation
nierównowagowe funkcje Greena
transport balistyczny
tunelowanie źródło-dren
model kompaktowy
symulacja wieloskalowa - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł