Wszystkie pola: doped material

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors
Materiały Elektroniczne 1986 nr 4(56)
Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Sarnecki Jerzy
Skwarcz Jerzy
Data publikacji:: 1987
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
Elektronika - czasopismo - materiały
domieszkowanie
Materiały elektroniczne
Electronic materials
epitaxial layers
As doped
As
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Fosforowane włókna fotoniczne domieszkowane iterbem do zastosowań laserowych. Rozprawa doktorska
Prace doktorskie
Fosforowane włókna fotoniczne domieszkowane iterbem do zastosowań. Rozprawa doktorska = Ytterbian doped phosphate photonic fiber for laser applicationslaserowych. Rozprawa doktorska
Autorzy:: Franczyk Marcin
Współwytwórcy:: Jabczyński, Jan K. Promotor.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: fibre laser
analiza Bourdet'a
Elektronika - materiały
włókna fotoniczne
photonic fibre
Materiały elektroniczne
szkło fosforanowe
phosphate glass
Electronic - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Procesy zachodzące w toku spiekania tworzyw o składzie stechiometrycznym ZrO2 - TiO2 domieszkowanych tlenkiem cynku
Prace ONPMP 1977 z. 16
Proceedings of ONPMP 1977 z. 16
Procesy zachodzące w toku spiekania tworzyw o składzie stechiometrycznym ZrO2 - TiO2 domieszkowanych tlenkiem cynku = Process occuring during the sintering of ceramic materials with stoichiometric composition of ZrO2 + TiO2 doped zinc oxide
Autorzy:: Adamiec Maria
Data publikacji:: 1977
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Słowa kluczowe:: stoichiometric composition
ceramic material
Elektronika - czasopismo - materiały
tworzywa ceramiczne
Materiały elektroniczne
Electronic materials
skład stechiometryczny
sintering ZrO2 + TiO2
Electronic - journal - material
spiekanie ZrO2+ TiO2; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus
Materiały Elektroniczne 3(51)/1985
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor
Autorzy:: Nowysz Karol
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Jabłoński Ryszard
Kamiński Paweł
Bukowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
NTD
defect
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4
Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te
Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Sroczyński Paweł
Surma Barbara
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
defect
gęstość dyslokacji
epitaxy layer
Materiały elektroniczne
Electronic materials
dislocation density
Electronic - journal - material
GaAsP:Te; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1988 nr 2(62)
Badania metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej defektów strukturalnych monokryształów Y2Al5O12 silnie domieszkowanych neodymem = The investigation of structural defects in the heavily Nd - doped YAG crystals by means of \\x-ray diffraction topography
Badania metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej defektów strukturalnych monokryształów Y2Al5O12 silnie domieszkowanych neodymem
Autorzy:: Mazur Krystyna
Współwytwórcy:: Wierzchowski Wojciech
Data publikacji:: 1988
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: X-ray diffraction topography
Elektronika - czasopismo - materiały
structural defect
dyfrakcyjan topografia rentgenowska
defekt strukturalny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Nd:YAG
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja