Temat: defect structure - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Prace ITME 1991 z. 36
Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure
Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV
Autorzy:: Kamiński Paweł
Kamiński, Paweł
Data publikacji:: 1991
Wydawca:: Wydaw. Przem. "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
DLTS
AIIIBV
struktura defektowa
defect structure
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ warunków technologicznych na niejednorodności kryształu tlenoboranu gadolinowo-wapniowego. Praca doktorska
Prace doktorskie
Wpływ warunków technologicznych na niejednorodności kryształu tlenoboranu gadolinowo-wapniowego. Praca doktorska = Influence of technological conditions on the homogeneity of gadolinium calcium oxyborate single crystal Ca4GdO(BO3)3-(GdCOB)
Autorzy:: Kłos Andrzej
Współwytwórcy:: Pajączkowska Anna. Promotor.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: structure defect
Elektronika - materiały
defekt strukturalny
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Czochralski growth of GdCoB
metoda Czochralskiego
własności spektroskopowe
spectroscopic properties
GdCoB; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja