- Tytuł:
- Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
- Autorzy:
-
Sochacki, M.
Kwietniewski, N.
Taube, A.
Król, K.
Szmidt, J. - Data publikacji:
- 2013
- Słowa kluczowe:
-
MOSFET
DIMOS
ACCUFET
węglik krzemu
SiC
DIMOSFET
silicon carbide - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł