- Tytuł:
-
Materiały Elektroniczne 1973 nr 1
Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2
Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 - Autorzy:
- Brzozowski Waldemar
- Data publikacji:
- 1973
- Wydawca:
- Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
- Słowa kluczowe:
-
warstwa epitaksjalna
homoepitaxy
CVD
Materialy elektroniczne
Electronic- materials
Electronic - journal - materials
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
