Wszystkie pola: Surma, Barbara

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4
Własności linii wW w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami
Własności linii wW w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami = Optical properties of W line for neutron irradiated MCz-Si and FZ-Si
Autorzy:: Surma Barbara
Współwytwórcy:: Wnuk Artur
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
fotoluminescencja
Electronic - journal - materials
linia W
defekty radiacyjne
radiation defects
photoluminescence
W line
Materiały elektroniczne
Electronic - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs
Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Surma Barbara
Współwytwórcy:: Mozdżonek Małgorzata
Strzelecka Stanisława
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
absorption spectra
Electronic - journal - materials
SiGaAs
SI GaAs
widmo absorpcyjne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1975 nr 4(12)
Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity
Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych
Autorzy:: Nowysz Karol
Współwytwórcy:: Surma Barbara
Data publikacji:: 1975
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
Si
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
silicon epitaxial layer
oporność
resistivity
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1990 nr 3(71)
Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality
Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach
Autorzy:: Grzejszczyk Wanda
Współwytwórcy:: Bukowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1990
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
Cz-Si
VLSI
CZ-Si
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ obróbki termicznej na własności optyczne monokryształów GaAs otrzymanych metodami Bridgmana i Czochralskiego = Effect of heat treatment on photoluminescence of Te-doped and undoped GaAs crystals grown by Czochralski and Bridgman methods
Materiały Elektroniczne 1982 nr 4(40)
Wpływ obróbki termicznej na własności optyczne monokryształów GaAs otrzymanych metodami Bridgmana i Czochralskiego
Autorzy:: Gładysz Maria
Współwytwórcy:: Roszkiewicz Krzysztof
Surma Barbara
Data publikacji:: 1983
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Czochralski method
Bridgman methods
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
metoda Czochralskiego
metoda Bridgmana
Electronic - journal - materials
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44
Materiały Elektroniczne 1983 nr 2(42)
Autorzy:: Gładysz Maria
Współwytwórcy:: Roszkiewicz Krzysztof
Surma Barbara
Data publikacji:: 1983
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
epitaxial layers
radiative recombination
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
rekombinacja promienista; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Fotoluminescencja krzemu porowatego = Photoluminescence from porous silicon
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Fotoluminescencja krzemu porowatego
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: fotoluminescencja
krzem porowaty
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
photoluminescence
porous silicon
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Badania absorpcji w kryształach niobanu litu domieszkowanego erbem
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 4
Badania absorpcji w kryształach niobanu litu domieszkowanego erbem = The absorption spectra of Er3+ doped LiNbO3 single crystals
Autorzy:: Pracka Izabela
Współwytwórcy:: Surma Barbara
Świrkowicz Marek
Możdżonek Małgorzata
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Materiały elektroniczne
Electronic - materials
absorption spectra
Electronic - journal - materials
widmo absorpcyjne
Elektronika - czasopismo - materiały
LiNbO3:Er; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja