- Tytuł:
-
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET = Deep defect centres in active layer of MESFETs
Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET - Autorzy:
- Kamiński Paweł
- Współwytwórcy:
-
Dobrzański Lech
Kozłowski Roman - Data publikacji:
- 1993
- Wydawca:
- ITME
- Słowa kluczowe:
-
głębokie centrum defektowe
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
deep defect centre
Electronic - journal - materials
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały
MESFET - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka