- Tytuł:
- Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
- Autorzy:
-
Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A. - Data publikacji:
- 2017
- Słowa kluczowe:
-
2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
równanie Poissona dwuwymiarowe
modelowanie elementów elektronicznych
tranzystor MOS dwubramkowy
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech