Wszystkie pola: doped material

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus
Materiały Elektroniczne 3(51)/1985
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor
Autorzy:: Nowysz Karol
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Jabłoński Ryszard
Kamiński Paweł
Bukowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
NTD
defect
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4
Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te
Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Sroczyński Paweł
Surma Barbara
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
defect
gęstość dyslokacji
epitaxy layer
Materiały elektroniczne
Electronic materials
dislocation density
Electronic - journal - material
GaAsP:Te; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja