- Tytuł:
- Zależność parametrów elektrycznych struktury MOS wykonanej na podłożu SiC od wielkości metalowej bramki
- Autorzy:
-
Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M. - Data publikacji:
- 2012
- Słowa kluczowe:
-
węglik krzemu
struktura MOS
bariera potencjału
silicon carbide
MOS structure
potential barrier height - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech