- Tytuł:
-
Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2 - Autorzy:
- Hruban Andrzej
- Współwytwórcy:
-
Piersa, Mirosław.
Piersa Mirosław
Orłowski Wacław
Jurkiewicz-Wegner Elżbieta
Mirowska Aleksandra
Rojek Anna
Strzelecka Stanisława - Data publikacji:
- 2013
- Wydawca:
- ITME
- Słowa kluczowe:
-
gallium arsenide
LEC
orientation
Czochralski method
arsenek galu
metoda Czochralskiego
orientacja
SI GaAs - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych