Temat: SiC/SiC - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SiC/SiC" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-10 z 11

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Mechanisms of carriers transport in Ni/n-SiC, Ti/n-SiC ohmic contacts
Autorzy:: Kisiel, R.
Guziewicz, M.
Golaszewska, K.
Sochacki, M.
Paszkowicz, W.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: SiC
ohmic contact
carrier transport
silicide
carbide; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Utlenianie węglika krzemu : charakteryzacja procesu i metody symulacji kinetyki
Autorzy:: Król, K.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
SiC
procesy termiczne
silicon carbide
thermal processes; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Autorzy:: Sochacki, M.
Kwietniewski, N.
Taube, A.
Król, K.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: MOSFET
DIMOS
ACCUFET
węglik krzemu
SiC
DIMOSFET
silicon carbide; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
SiC
JFET
LJFET
symulacje numeryczne
silicon carbide
simulations; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)
Autorzy:: Bieniek, T.
Stęszewski, J.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: SiC
węglik krzemu
Silvaco Atlas
symulacje elektryczne
silicon carbide
electrical simulations; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu
Autorzy:: Król, K.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: SiC
węglik krzemu
modelowanie
utlenianie termiczne
silicon carbide
kinetics modeling
thermal oxidation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: edge termination
silicon carbide
4H-SiC
p-i-n diode
breakdown voltage
JTE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: edge termination
silicon carbide
4H-SiC
p-i-n diode
breakdown voltage
JTE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu
Autorzy:: Król, K.
Sochacki, M.
Kwietniewski, N.
Gierałtowska, S.
Wachnicki, Ł.
Data publikacji:: 2017
Słowa kluczowe:: high-K
węglik krzemu
SiC
MOSFET
przyrządy mocy
high-k
silicon carbide
power device; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
Autorzy:: Kwietniewski, N.
Pazio, K.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Droździel, A.
Kulik, M.
Prucnal, S.
Pyszniak, K.
Rawski, M.
Turek, M.
Żuk, J.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
4H-SiC
implantacja
dioda PIN
źródło jonów
rozpraszanie Ramana
silicon carbide
implantation
PIN diode
ion source
Raman scattering; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 11

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "SiC/SiC" wg kryterium: Temat