- Tytuł:
- Reducing the density of threading dislocations in GaAs epitaxial layers. Efficiency assessment of isovalent Bi doping and Pb doping
- Autorzy:
-
Baganov, Y. E.
Krasnov, V.
Lebed, O.
Shutov, S. - Data publikacji:
- 2009
- Słowa kluczowe:
-
isovalent doping
dislocations
GaAs
Bi (bismuth)
Pb - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech