- Tytuł:
- Monocrystalline GaN diluted with up to 7% arsenic grown by MOVPE
- Autorzy:
- Olszewski, Wojciech
- Współwytwórcy:
- Olszewski, Wojciech
- Data publikacji:
- 2025-08-12
- Wydawca:
- RepOD
- Tematy:
-
Physics
epitaxy
gallium nitride
gallium arsenide
XPS
SEM
TEM
XRD
III-nitrides - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Repozytorium Otwartych Danych