Wszystkie pola: defect structure

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Prace ITME 1991 z. 36
Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure
Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV
Autorzy:: Kamiński Paweł
Kamiński, Paweł
Data publikacji:: 1991
Wydawca:: Wydaw. Przem. "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
DLTS
AIIIBV
struktura defektowa
defect structure
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1986 nr 4(56)
Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4) = Influence of substrates defect structure on the structure perfection of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs(x=0.4)
Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4)
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Hruban Andrzej
Data publikacji:: 1987
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: GaAsP
heteroepitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
defekt strukturalny
Materiały elektroniczne
heteroepitaksjalna warstwa
Electronic materials
Electronic - journal - material
structure perfection; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Investigation of the defect structure in the new types of undoped and Pr-doped scintillator single crystals of mixed lutetium-yttrium-aluminum garnets [LuxY1-x]Al5O12 (LuYAG)
Badanie struktury defektowej w nowych rodzajach scyntylacyjnych monokryształów mieszanych granatów lutetowo-itrowo-glinowych [LuxY1-x]Al5O12 (LuYAG) niedomieszkowanych oraz aktywowanych prazeodymem
Electronic Materials T. 43 Nr 1 2015
Materiały Elektroniczne T. 43 Nr 1
Autorzy:: Malinowska Agnieszka
Współwytwórcy:: Wierzchowski Wojciech
Mazur Krystyna
Romaniec Magdalena
Drozdowski Winicjusz
Romaniec, Magdalena
Kisielewski Jarosław
Wierzbicka Edyta
Świrkowicz Marek
Szyrski Włodzimierz
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: X-ray diffraction topography
defekty sieci krystalicznej
Czochralski method
crystal lattice defects
metoda Czochralskiego
mieszane granaty lutetowo-itrowo-glinowe
materiały scyntylacyjne
mixed lutetium-yttium-aluminum garnets
dyfrakcyjna topografia rentgenowska
scintillator crystals; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ warunków technologicznych na niejednorodności kryształu tlenoboranu gadolinowo-wapniowego. Praca doktorska
Prace doktorskie
Wpływ warunków technologicznych na niejednorodności kryształu tlenoboranu gadolinowo-wapniowego. Praca doktorska = Influence of technological conditions on the homogeneity of gadolinium calcium oxyborate single crystal Ca4GdO(BO3)3-(GdCOB)
Autorzy:: Kłos Andrzej
Współwytwórcy:: Pajączkowska Anna. Promotor.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: structure defect
Elektronika - materiały
defekt strukturalny
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Czochralski growth of GdCoB
metoda Czochralskiego
własności spektroskopowe
spectroscopic properties
GdCoB; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Defekty struktury w kryształach ADP (NH4H2PO4)
Defekty struktury w kryształach ADP (NH4H2PO4) = Structure defects in ADP (NH4H2PO4) single crystals
Materiały Elektroniczne 1978 nr 3(23)
Autorzy:: Wieteska Krzysztof
Współwytwórcy:: Szmid Zofia
Czeszko Jerzy
Szarras Stanisław
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Electronic - materials
dtructure defect
Materiały elektroniczne
ADP
Electronic - journal - materials
defekt struktury
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu
Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 2
Wpływ warunków krystalizacji na powstawanie defektów w kryształach czteroboranu litu = A dependence of defective structure of lithium tetraborate crystals on growth condictions
Autorzy:: Kisielewski Jarosław
Współwytwórcy:: Szyrski Włodzimierz
Świrkowicz Marek
Gałązka Zbigniew
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: defekt
LBO
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krystalizacja
growth condition
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
defect center; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1979 nr 1(25)
Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymywanych metodą EFG. Part 1. = Analysis of the defects occuring in the silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part 1
Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymywanych metodą EFG
Autorzy:: Ciszewski Bohdan
Współwytwórcy:: Kącki Jerzy
Data publikacji:: 1980
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronka - czasopsimo - materiały
defekt
metoda EFG
defect
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
silicon ribbon
EFG method
taśma krzemowa
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymanych metodą EPG, Cz. II
Analiza defektów występujących w strukturze krzemu na podstawie obserwacji taśm krzemowych otrzymanych metodą EPG. Cz. II = An analysis of the defects occuring in silicon structure on the base of EPG silicon ribbon observation. Part II
Materiały Elektroniczne 1979 nr 2(26)
Autorzy:: Ciszewski Bohdan
Współwytwórcy:: Kącki Jerzy
Data publikacji:: 1980
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: defekt
metoda EFG
defect
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
silicon ribbon
EFG method
taśma krzemowa
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja