Temat: SiC/SiC - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska
Praca doktorska.
Autorzy:: Tymicki Emil
Współwytwórcy:: Grasza, Krzysztof. Promotor
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: 4H-SiC
Electronic - materials
6H-SiC
PVT; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej = New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method
Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 3
Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Mawłowski Marek
Brzozowski Michał
Pawłowski Michał
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: SiC
defect centers
centra defektowe
DLTS; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: 15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3
15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
Autorzy:: Tymicki Emil
Współwytwórcy:: Grasza Krzysztof
Mazur Krystyna
Diduszko Ryszard
Łukasiewicz Tadeusz
Racka Katarzyna
Kościewicz Kinga
Raczkiewicz Marcin
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: SiC
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Method PVT
wtrącenie politypowe
metoda PVT
polytype inclusion
15R-SiC
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne. T.43 Nr 2
Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
Electronic Materials V.43 Nr 2
Solution growth of 3C-SiC by TSSG method
Autorzy:: Raczkiewicz Marcin
Współwytwórcy:: Tymicki Emil
Łukasiewicz Tadeusz
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: SiC
Si
solution growth
polyytype 3C
wzrost z roztworu
polityp 3C; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 1
Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC
Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals
Autorzy:: Pawłowski Mariusz
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: SiC
politype
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
ESR
Electronic - journal - materials
polityka
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 1
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: SiC
electron irradiation
point defects
defekty punktowe
DLTS
deep traps
napromieniowanie elektronami
głębokie pułapki; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska
Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska = Effect shallow impurities on the properties and concentrations of deep-level defect centres in SiC
Prace doktorskie
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Słowa kluczowe:: SiC
Elektronika - materiały
płytka domieszka
shallow impurity
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
centrum defektowe
defect center; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: SiC die-substrate connections for high temperature applications
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 1
SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych
Autorzy:: Szczepański Zbigniew
Współwytwórcy:: Kisiel Ryszard
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: SiC
montaż struktur
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
die bonding; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN
Autorzy:: Caban Piotr
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: 4H-SiC
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
GaN
LP MOVPE
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1978 nr 4(24)
Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4
Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4 = Quantitative determination of trichlorosilane in technical purity tetrachlorosilane by proton magnetic resonance method
Autorzy:: Drożdż Elżbieta
Współwytwórcy:: Bukowski Jacek
Vieth Wojciech
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopism - materiały
SiC4
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
impurity
SiCl4
MRP
zanieczyszczenie
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "SiC/SiC" wg kryterium: Temat