Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Andriyevsky, Bohdan" wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
Effect of crystal defects on the electronic structure and dielectric functions of In0.5Tl0.5I solid state solutions
Autorzy:
Andriyevsky, Bohdan
Kashuba, A.
Ilchuk, H.
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
semiconductors
point defects
electronic band structure
electrical transport
optical properties
computer simulations
półprzewodniki
wada punktowa
struktura pasmowa
transport elektryczny
właściwości optyczne
symulacje komputerowe
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of crystal defects on the electronic structure and dielectric functions of In0.5Tl0.5I solid state solutions
Autorzy:
Andriyevsky, Bohdan
Kashuba, A.
Ilchuk, H.
Data publikacji:
2019
Słowa kluczowe:
semiconductors
point defects
electronic band structure
electrical transport
optical properties
computer simulations
półprzewodniki
wada punktowa
struktura pasmowa
transport elektryczny
właściwości optyczne
symulacje komputerowe
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
Tytuł:
Estimation of phonon relaxation time for silicon by means of using the velocity autocorrelation function of atoms in molecular dynamics
Autorzy:
Andriyevsky, Bohdan
Maliński, M.
Buryło, Ł.
Stadnyk, V. Y.
Romanuk, M. O.
Piekarski, J.
Andriyevska, L.
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon
molecular dynamics
relaxation time of the velocity autocorrelation function
coefficient of thermal diffusivity
krzem
dynamika molekularna
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Estimation of phonon relaxation time for silicon by means of using the velocity autocorrelation function of atoms in molecular dynamics
Autorzy:
Andriyevsky, Bohdan
Maliński, M.
Buryło, Ł.
Stadnyk, V. Y.
Romanuk, M. O.
Piekarski, J.
Andriyevska, L.
Data publikacji:
2019
Słowa kluczowe:
silicon
molecular dynamics
relaxation time of the velocity autocorrelation function
coefficient of thermal diffusivity
krzem
dynamika molekularna
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
Tytuł:
Investigations of free electrons in doped silicon crystals derived from Fourier transformed infrared measurements and ab initio calculations
Autorzy:
Andriyevsky, Bohdan
Bychto, Leszek
Patryn, Aleksy
Schade, Ulrich
Puskar, Ljiljana
Veber, Alexander
Abrosimov, Nikolay
Kashuba, Andrii I.
Data publikacji:
2025
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
semiconductors
doped silicon crystals
far-infrared reflection spectra
free electrons
electron momentum scattering time
effective mass of electron
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigations of free electrons in doped silicon crystals derived from Fourier transformed infrared measurements and ab initio calculations
Autorzy:
Andriyevsky, Bohdan
Bychto, Leszek
Patryn, Aleksy
Schade, Ulrich
Puskar, Ljiljana
Veber, Alexander
Abrosimov, Nikolay
Kashuba, Andrii I.
Data publikacji:
2025
Słowa kluczowe:
semiconductors
doped silicon crystals
far-infrared reflection spectra
free electrons
electron momentum scattering time
effective mass of electron
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies