Wszystkie pola: InAs/GaSb/AlSb/GaSb

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Interfaces-engineered M-structure for infrared detectors
Autorzy:: Marchewka, Michał
Jarosz, Dawid
Ruszała, Marta
Juś, Anna
Krzemiński, Piotr
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Wojnarowska-Nowak, Renata
Śliż, Paweł
Rygała, Michał
Motyka, Marcin
Data publikacji:: 2024
Słowa kluczowe:: molecular beam epitaxy
T2SL
InAs/GaSb/AlSb/GaSb
M-structures
dyspersion relation
numerical calculations; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Interfaces-engineered M-structure for infrared detectors
Autorzy:: Marchewka, Michał
Jarosz, Dawid
Ruszała, Marta
Juś, Anna
Krzemiński, Piotr
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Wojnarowska-Nowak, Renata
Śliż, Paweł
Rygała, Michał
Motyka, Marcin
Data publikacji:: 2024
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: molecular beam epitaxy
T2SL
InAs/GaSb/AlSb/GaSb
M-structures
dyspersion relation
numerical calculations; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: AlSb and InAs-GaSb layer thickness effect on HH-LH splitting and band gap energies in InAs/AlSb/GaSb type-II superlattices
Autorzy:: Alyoruk, M. M.
Ergun, Y.
Hostut, M.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: InAs/AlSb/GaSb type-II SL structure
HH-LH splitting
N-structure
DFT
layer thickness effect; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Magnetotransport and Magnetooptics of InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ and Heterojunctions Combinations Formed Between InAs and GaSb, AlSb Or InAs$\text{}_{1 -x}$Sb$\text{}_{x}$
Autorzy:: Stradling, R. A.
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.My
76.40.+b
78.20.Ls; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Peculiarities in optical response of hybrid-barrier GaSb/InAs/AlSb resonant tunneling diode structure
Autorzy:: Dyksik, M.
Motyka, M.
Rygała, M.
Pfenning, A.
Hartmann, F.
Weih, R.
Worschech, L.
Höfling, S.
Sęk, G.
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: resonant tunneling diode
quantum well
optical spectroscopy
photoluminescence
photoreflectance; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Peculiarities in optical response of hybrid-barrier GaSb/InAs/AlSb resonant tunneling diode structure
Autorzy:: Dyksik, M.
Motyka, M.
Rygała, M.
Pfenning, A.
Hartmann, F.
Weih, R.
Worschech, L.
Höfling, S.
Sęk, G.
Data publikacji:: 2021
Słowa kluczowe:: resonant tunneling diode
quantum well
optical spectroscopy
photoluminescence
photoreflectance; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja