Wszystkie pola: InGaAs/InP heterostructures

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wigner Crystallization in InGaAs/InP Heterostructures with a Strong Disorder
Autorzy:: Kovács, Gy.
Remenyi, G.
Gombos, G.
Savel'ev, I. G.
Kreshchuk, A. M.
Hegman, N.
Pödör, B.
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.20.Dx; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Activated Transport in Magnetic-Field Induced Insulating Phase in Two-Dimensional Electron Gas in InGaAs/InP Heterostructures
Autorzy:: Pődör, B.
Gombos, G.
Reményi, G.
Kovács, Gy.
Savel'ev, I. G.
Novikov, S. V.
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.20.Dx; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: LP-MOVPE growth and properties of high Si-doped InGaAs contact layer for quantum cascade laser applications
Autorzy:: Ściana, B.
Badura, M.
Dawidowski, W.
Bielak, K.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Szyszka, A.
Żelazna, K.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: InGaAs/InP heterostructures
silicon doping
InGaAs plasmon-contact layer
quantum cascade laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition
Autorzy:: Przesławski, T.
Wolkenberg, A.
Kaniewski, J.
Regiński, K.
Jasik, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: Hall sensors
magnetoresistors
InGaAs/InP heterostructures
electronic transport
geometric correction factor
molecular beam epitaxy (MBE)
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)
Autorzy:: Jasik, A.
Strupiński, W.
Kosiel, K.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: MOCVD
epitaksja
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)
Autorzy:: Jasik Agata
Współwytwórcy:: Kosiel Kamil
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: heterostructure
In/InGaAs
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
heterostruktura
MOVPE
InP/InGaAs
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: HBV deep mesa etching in InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructures on InP substrate
Współwytwórcy:: Górska, Marianna
Łysko, Jan Marek
Wrzesińska, Hanna
Szerling, Anna
Ratajczak, Jacek
Hejduk, Krzysztof
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: HBV deep mesa etching in InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructures on InP substrate
Autorzy:: Górska, M.
Wrzesińska, H.
Szerling, A.
Hejduk, K.
Ratajczak, J.
Łysko, J.M.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: heterostructure
anisotropic
wet etching
mesa; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Ion Etching Effects Occurring in Secondary Ion Mass Spectrometry Depth profiling of InGaAs/InP and InGaAs/AlAs/InP MBE Grown Heterostructures
Autorzy:: Kozhukhov, A. V.
Konarski, P.
Herman, M. A.
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.35.Bs
68.55.Jk; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Technologia LP-MOVPE heterostruktur InGaAs/InP do konstrukcji kwantowych laserów kaskadowych
Autorzy:: Badura, M.
Bielak, K.
Ściana, B.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Dawidowski, W.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: epitaksja
MOVPE
kwantowy laser kaskadowy
falowód
InGaAs
InP
epitaxy
quantum cascade laser
waveguide; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "InGaAs/InP heterostructures" wg kryterium: Wszystkie pola