Wszystkie pola: MBE epitaxy

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Charakterystyki mocy lasera VECSEL w funkcji relaksacji sieci krystalicznej
Autorzy:: Jasik, A.
Sankowska, I.
Broda, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Trajnerowicz, A.
Wójcik-Jedlińska, A.
Muszalski, J.
Wasiak, M.
Sokół, A.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: VECSEL
epitaksja MBE
relaksacja sieci
MDS
MBE epitaxy
strain relaxation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb
Autorzy:: Kaniewski, J.
Jasik, A.
Regiński, K.
Sankowska, I.
Pierścińska, D.
Pierściński, K.
Papis, E.
Wawro, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: detektory podczerwieni
supersieci ll rodzaju
InAs/GaSb
epitaksja MBE
infrared detectors
type-ll superlattice
epitaxy MBE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: The multiscale modelling of thin films growth
Autorzy:: Kopernik, M.
Kot, R.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: automat komórkowy
model wzrostu
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
cellular automata (CA)
growth model
molecular beam epitaxy (MBE); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Properties and origin of oval defects in epitaxial structures grown by molecular beam epitaxy
Autorzy:: Szerling, A.
Kosiel, K.
Wójcik-Jedlińska, A.
Płuska, M.
Bugajski, M.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: oval defects
A3B5
molecular beam epitaxy (MBE)
spectrally resolved photoluminescence
scanning electron microscopy (SEM)
cathodoluminescence; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition
Autorzy:: Przesławski, T.
Wolkenberg, A.
Kaniewski, J.
Regiński, K.
Jasik, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: Hall sensors
magnetoresistors
InGaAs/InP heterostructures
electronic transport
geometric correction factor
molecular beam epitaxy (MBE)
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: The picosecond ultrasonic waves in Au/V multilayers
Autorzy:: Aleksiejuk, M.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: fala naddźwiękowa pikosekundowa w Au/V
propagacja fal
supersieć
MBE
picosecond ultrasonic waves in Au/V
propagation of waves
superlattice
molecular beam epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Badania jednorodności cienkich warstw InAs otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Autorzy:: Wróbel, Jarosław
Odrzywolski, Sebastian
Złotnik, Sebastian
Boguski, Jacek
Liszewska, Malwina
Budner, Bogusław
Jankiewicz, Bartłomiej
Matuszelański, Kacper
Data publikacji:: 2022
Słowa kluczowe:: InAs
jednorodność
charakteryzacja cienkich warstw
MBE
homogeneity
thin layer characterization; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs
Autorzy:: Barańska, A.
Kosiel, K.
Kubacka-Traczyk, J.
Bugajski, M.
Pasternak, I.
Płociński, T.
Kurzydłowski, K.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: morfologia powierzchni międzyfazowych AlGaAs/GaAs
lasery kaskadowe
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
transmisyjna mikroskopia elektronowa
TEM
mikroskopia sił atomowych
AFM
AlGaAs/GaAs interface morphology
high-resolution transmission electron microscopy
HRTEM
molecular beam epitaxy
atomic force microscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Low-temperature growth of GaSb epilayers on GaAs (001) by molecular beam epitaxy
Autorzy:: Benyahia, D.
Kubiszyn, Ł.
Michalczewski, K.
Kębłowski, A.
Martyniuk, P.
Piotrowski, J.
Rogalski, A.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: MBE
GaSb
GaAs
IR detectors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Data for publication: Effective Mg Incorporation in CdMgO Alloy on Quartz Substrate Grown by Plasma-assisted MBE
Autorzy:: Adhikari, Abinash
Współwytwórcy:: Adhikari, Abinash
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
oxides
molecular beam epitaxy
ternary alloys; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Influence of the Annealing Temperature on the Properties of {ZnO/CdO}30 Superlattices Deposited on c-Plane Al2O3 Substrate by MBE
Autorzy:: Lysak, Anastasiia
Aleksandra Wierzbicka
Piotr Dluzewski
Marcin Stachowicz
Jacek Sajkowski
Ewa Przezdziecka
Współwytwórcy:: Lysak, Anastasiia
Data publikacji:: 2025-02-06
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
superlattices
oxides semiconductors
molecular beam epitaxy
annealing
X-ray analysis
photoluminescence; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Crystallographic properties of the HgCdTe layers grown by MBE on CdZnTe(211)B substrates
Autorzy:: Rogalska, Iwona
Ruszała, Marta
Grendysa, Jakub
Juś, Anna
Wojnarowska-Nowak, Renata
Marchewka, Michał
Wojtowicz, Tomasz
Data publikacji:: 2025
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: HgCdTe
molecular beam epitaxy
infrared detectors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Crystallographic properties of the HgCdTe layers grown by MBE on CdZnTe(211)B substrates
Autorzy:: Rogalska, Iwona
Ruszała, Marta
Grendysa, Jakub
Juś, Anna
Wojnarowska-Nowak, Renata
Marchewka, Michał
Wojtowicz, Tomasz
Data publikacji:: 2025
Słowa kluczowe:: HgCdTe
molecular beam epitaxy
infrared detectors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Technologia epitaksji z wiązek molekularnych struktur laserów kaskadowych InAlAs/InGaAs/InP na pasmo średniej podczerwieni
Autorzy:: Gutowski, P.
Pierściński, K.
Karbownik, P.
Morawiec, M.
Bugajski, M.
Sankowska, I.
Pierścińska, D.
Serebrennikova, O.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
kwantowe lasery kaskadowe
QCL
InGaAs
InAIAs
molecular beam epitaxy
quantum cascade laser
InAlAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors
Autorzy:: Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał
Data publikacji:: 2024
Słowa kluczowe:: gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Geometrical selection of GaN nanowires grown by plas-ma-assisted MBE on polycrystalline ZrN layers
Autorzy:: Sobańska, Marta
Współwytwórcy:: Sobańska, Marta
Data publikacji:: 2024-08-01
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
GaN nanowires
ZrN buffer layers
molecular beam epitaxy
nanowire orientation
geometrical selection; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors
Autorzy:: Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał
Data publikacji:: 2024
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Bardzo wysoka próżnia w aspekcie techniki epitaksji z wiązek molekularnych
Autorzy:: Marks, J.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: techniki MBE
wymagania
układy pompowe
techniques MBE
demand
pump matches; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Epitaksja struktur laserów kaskadowych
Autorzy:: Gutowski, P.
Sankowska, I.
Kubacka-Traczyk, J.
Gołaszewska-Malec, K.
Bugajski, M.
Grzonka, J.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
kwantowe lasery kaskadowe
QCL
quantum cascade laser
molecular beam epitaxy
Device Fabrication; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Optical techniques used for in-situ studies of MBE growth processes
Autorzy:: Herman, M. A.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: optical characterization techniques
molecular beam epitaxy
surface structures; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE
Autorzy:: Kaczmarczyk, M.
Piotrowski, T.
Kaniewska, M.
Engström, O.
Pisicator, J.
Sadeghi, M.
Pawłowski, S.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: kropki kwantowe
InAs/GaAs
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
mikroskopia sił atomowych
AFM
quantum dots
molecular beam epitaxy
atomic force microscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Układ próżniowy urządzenia do epitaksji z wiązek molekularnych
Autorzy:: Cyrański, R.
Marks, J.
Kaufman, E.
Sobolewski, A.
Pastuszka, B.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: układ próżniowy
metoda MBE
budowa urządzenia
vacuum matches
MBE method
structure of fix-up; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Mechanizm spontanicznego zarodkowania i wzrostu techniką MBE oraz właściwości nanodrutów GaN
Autorzy:: Sobańska, M.
Wierzbicka, A.
Kłosek, K.
Tchutchulashvili, G.
Borysiuk, J.
Żytkiewicz, Z. R.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: plasma-assisted molecular beam epitaxy
PAMBE
technika RHEED; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju
Autorzy:: Jasik, Agata
Sankowska, Iwona
Czuba, Krzysztof
Smoczyński, Dariusz
Kotowski, Mateusz
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: epitaksja z wiązek molekularnych
fotorezystory
supersieci InAs/GaSb
długofalowa podczerwień
molecular beam epitaxy
photoconductors
InAs/GaSb superlattices
long-wavelenght infrared; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Wpływ grubości epitaksjalnych warstw InAs na GaAs wykonywanych w technologii MBE, na ich parametry transportu ładunków elektrycznych
Autorzy:: Wolkenberg, A.
Przesławski, T.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: InAs/GaAs
transport ładunku
hopping po stanach donorowych
hopping po stanach międzypowierzchni podłoże-warstwa
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
transport properties
hopping on donor states
hopping on the states at the interface substrate-layer
molecular beam epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:: Multi-step interrupted-growth MBE technology for GaAs/AlGaAs (~9.4 µm) room temperature operating quantum-cascade lasers
Autorzy:: Kosiel, K.
Kubacka-Traczyk, J.
Sankowska, I.
Szerling, A.
Gutowski, P.
Bugajski, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: intersubband
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
quantum cascade laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:: Molecular beam epitaxy growth of Transition Metal Dichalcogenide (Mo,Mn)Se2 on 2D, 3D and polycrystalline substrates
Autorzy:: Kucharek, Julia
Bożek, Rafał
Pacuski, Wojciech
Współwytwórcy:: Kucharek, Julia
Data publikacji:: 2024-02-29
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
MoSe2
Magnetism
Manganese
hBN
Photoluminescence
MBE
Doping
Alloy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:: Structure and electronic properties of ionic nano-layers MBE-grown on III-V semiconductors
Autorzy:: Piątkowski, Piotr
Szymoński, Marek
Czuba, Paweł
Korecki, Paweł
Kołodziej, Jacek
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: semiconductor-insulator interface
molecular beam epitaxy
surface structure
low energy electron diffraction
III-V semiconductor compounds
electron holography; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:: The Use of External Fields (Magnetic, Electric, and Strain) in Molecular Beam Epitaxy—The Method and Application Examples - source data
Autorzy:: Korecki, Józef
Współwytwórcy:: Korecki, Józef
Data publikacji:: 2025-02-11
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
MBE
Magnetic field-assisted epitaxial growth
Fe3O4(111) films on MgO(111)
Fe(001) films on MgO(001)
UHV resistance measurements
MOKE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:: MBE-grown MCT hetero- and nanostructures for IR and THz detectors
Autorzy:: Dvoretsky, S. A.
Mikhailov, N. N.
Remesnik, V. G.
Sidorov, Y. G.
Shvets, V. A.
Ikusov, D. G.
Varavin, V. S.
Yakushev, M. V.
Gumenjuk-Sichevska, J. V.
Golenkov, A. G.
Lysiuk, I. O.
Tsybrii, Z. F.
Shevchik-Shekera, A. V.
Sizov, F. F.
Latyshev, A. V.
Aseev, A. L.
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: growth
HgCdTe
molecular-beam epitaxy
detector
infrared
terahertz; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "MBE epitaxy" wg kryterium: Wszystkie pola