Wszystkie pola: compact modeling - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "compact modeling" wg kryterium: Wszystkie pola

Wyświetlanie 1-10 z 44

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Compact Modeling for Submicron Fully Depleted SOI MOSFETs
Autorzy:: Remmouche, R.
Boutaoui, N.
Bouridah, H.
Data publikacji:: 2012-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Qv
85.30.Tv
85.40.Bh; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
Autorzy:: Grabiński, W.
Bucher, M.
Sallese, J.-M.
Krummenacher, F.
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: ultra deep submicron (UDSM) technology
compact modeling
EKV MOS transistor model
MOSFET
matching
low power
RF applications; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Compact modeling for submicron fully depleted SOI MOSFETs
Autorzy:: Remmouche, R.
Współwytwórcy:: Boutaoui, N.
Bouridah, H.
Data publikacji:: 2012
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Compact modeling of low-power and RF analogue MOSFET devices
Autorzy:: Grabiński, W.
Data publikacji:: 2003
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
Autorzy:: Grabiński, W.
Bucher, M.
Sallese, J.-M.
Krummenacher, F.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: ultra deep submicron (UDSM) technology
compact modeling
EKV MOS transistor model
MOSFET
matching
low power
RF applications; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Compact modeling of low-power and RF analogue MOSFET devices
Autorzy:: Grabiński, W.
Data publikacji:: 2003
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Area equivalent WKB Compact modeling approach for tunneling probability in Hetero-Junction TFETs including ambipolar behaviour
Autorzy:: Horst, Fabian
Farokhnejad, Atieh
Darbandy, Ghader
Iñíguez, Benjamín
Kloes, Alexander
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: TFET
tunneling probability
WKB approximation
heterojunction
compact modeling
closed-form
double-gate
DG
ambipolarity
modelowanie kompaktowe
dwubiegunowość; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Compact Modeling of the Performance of SB-CNTFET as a Function of Geometrical and Physical Parameters
Autorzy:: Diabi, A.
Hocini, A.
Data publikacji:: 2015-04
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 85.35.Kt
85.30.Tv; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Compact device modeling using Verilog-AMS and ADMS
Autorzy:: Lemaitre, L.
Grabiński, W.
McAndrew, C.
Data publikacji:: 2003
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Area equivalent WKB Compact modeling approach for tunneling probability in Hetero-Junction TFETs including ambipolar behaviour
Autorzy:: Horst, Fabian
Farokhnejad, Atieh
Darbandy, Ghader
Iñíguez, Benjamín
Kloes, Alexander
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: TFET
tunneling probability
WKB approximation
heterojunction
compact modeling
closed-form
double-gate
DG
ambipolarity
modelowanie kompaktowe
dwubiegunowość; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 44

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies