Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Biblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaBiblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie

Wyszukujesz frazę "epitaxial structures" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-23 z 23
    Tytuł:
    Development of Three-Layered Composite Color Converters for White LEDs Based on the Epitaxial Structures of YAG:Ce, TbAG:Ce and LuAG:Ce Garnets
    Autorzy:
    Zorenko, Yuriy
    Współwytwórcy:
    Spasiuk, Sławomir
    Wydawca:
    RepOD
    Tematy:
    Physics
    single crystalline films
    liquid-phase epitaxy
    mixed garnets
    Ce3+ ions
    composite film-crystal photoconverter
    Planar-Chip-Level Conversion
    white LEDs
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    Repozytorium Otwartych Danych
    Inne
    Szczegóły
    Tytuł:
    Characterization of InGaN structures grown by epitaxial lateral overgrowth over a-plane GaN template
    Data publikacji:
    2006
    Dostawca treści:
    Academica
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Characterization of InGaN structures grown by epitaxial lateral overgrowth over a-plane GaN template
    Autorzy:
    Miasojedovas, S.
    Jursenas, S.
    Kuokstis, E.
    Zukauskas, A.
    Gaevski, M.E.
    Lee, J.
    Shatalov, M.
    Gong, Z.
    Adivarahan, V.
    Sattu, A.
    Mokina, I.
    Yang, J.
    Asif Khan, M.
    Data publikacji:
    2006
    Słowa kluczowe:
    luminescence
    InGaN/GaN
    non-polar
    multiple quantum wells (MQWs)
    epitaxial lateral overgrowth (ELOG)
    quantum dots
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Określenie koncentracji i współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG
    Determination of concentration and the segregation coefficient of active rare earth ions in YAG epitaxial layers and waveguide structures
    Autorzy:
    Sarnecki, J.
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    LPE
    YAG
    stała sieci
    współczynnik segregacji jonu
    koncentracja jonów
    lattice constant
    segregation coefficient
    ions concentration
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)
    Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures
    Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych
    Autorzy:
    Tomaszewski Jacek
    Współwytwórcy:
    Korec Jacek
    Brzozowski Andrzej
    Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
    Data publikacji:
    1981
    Wydawca:
    Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
    Słowa kluczowe:
    Electronic - materials
    Materiały elektroniczne
    krzemowa warstwa epitaksjalna
    silicon epitaxial layer
    rezystywność
    resistivity
    Elektronika - czasopismo - materiały
    Electronic - journal - materials
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
    Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG
    Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG = Determination of concentration and the segregation of active rare earth ions in YAG epitaxial layers and waveguide structures
    Autorzy:
    Sarnecki Jerzy
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    ITME
    Słowa kluczowe:
    YAG
    koncentracja jonów
    Electronic - materials
    ions concentration
    lattice constant
    Materiały elektroniczne
    współczynnik segregacji jonu
    Electronic - journal - materials
    segregation coefficient
    stała sieci
    LPE
    Elektronika - czasopismo - materiały
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Correlation of morphology and magnetic properties in ultrathin epitaxial Co films on Au(111)
    Autorzy:
    Cyganik, Piotr
    Spiridis, N.
    Ślęzak, T.
    Kisielewski, M.
    Maziewski, A.
    Korecki, J.
    Data publikacji:
    2002
    Słowa kluczowe:
    cobalt
    scanning tunneling microscopy
    surface structure, morphology, roughness, and topography
    low index single crystal surfaces
    metal-metal magnetic thin film structures
    magnetic films
    epitaxy
    gold
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG
    Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG = Liquid phase epitaxial growth and characterization of Nd:YAG/YAG waveguide laser structures
    Materiały Elektroniczne 2000 T.28 nr 4
    Autorzy:
    Sarnecki Jerzy
    Data publikacji:
    2000
    Wydawca:
    ITME
    Słowa kluczowe:
    Materiały elektroniczne
    waveguide laser structure
    Nd:YAG
    Electronic- materials
    Electronic - journal - materials
    LPE
    Elektronika - czasopismo - materiały
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV. Praca doktorska
    Prace doktorskie
    Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV. praca doktorska = X-ray diffractiometric analysis of coherence deformation in AIIIBV semiconductor layered structures
    Autorzy:
    Sass Jerzy
    Współwytwórcy:
    Pajączkowska Anna. Promotor.
    Data publikacji:
    1998
    Wydawca:
    ITME
    Słowa kluczowe:
    dyfrakcja rentgenowska
    warstwa epitaksjalna
    Elektronika - materiały
    epitaxial layer
    misfitdislocation
    Electronic - materials
    Materiały elektroniczne
    AIIIBV
    x-ray diffraction
    dyslokacja niedopadowania
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-23 z 23

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies