Wszystkie pola: space charge layer - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "space charge layer" wg kryterium: Wszystkie pola

Wyświetlanie 1-6 z 6

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Photoemission studies of the electronic properties of the space charge layer of SnO₂(110) surface
Autorzy:: Szuber, J.
Göpel, W.
Data publikacji:: 2000
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Electronic properties of space charge layer of cooper phthalocyanine (CuPc) thin films "in situ" studied by photoemission yield spectroscopy
Autorzy:: Grządziel, L.
Mikołajczak, K.
Szuber, J.
Data publikacji:: 2000
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1975 nr 2(10)
Ocena stopnia zdefektowania warstwy ładunku przestrzennego dyfuzyjnych złącz p-n w arsenku galu = The evaluation of space charge layer defects in gallium arsenide diffusion p-n junctions
Ocena stopnia zdefektowania warstwy ładunku przestrzennego dyfuzyjnych złącz p-n w arsenku galu
Autorzy:: Pietras Edward
Data publikacji:: 1975
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: defekt
defect
Elektronika - czasopismo - materialy
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
złącze dyfuzyjne
Electronic - journal - materials
space charge layer
warstwa ładunku przestrzennego
GaAs
diffusion p-n junction; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Modelling of new generation plasma optical devices
Autorzy:: Litovko, I. V.
Goncharov, A. A.
Dobrovolskiy, A. N.
Naiko, L. V.
Naiko, I. V.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: anode layer
plasma lens
plasma accelerator
plasma jet
space charge; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg₁₋xCdxTe in wide temperature range
Autorzy:: Voitsekhovskii, A. V.
Nesmelov, S. N.
Dzyadukh, S. M.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: HgCdTe
MIS structure
admittance
graded-gap layer
differential resistance of space-charge region; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Modelling of new generation plasma optical devices
Autorzy:: Litovko, I. V.
Goncharov, A. A.
Dobrovolskiy, A. N.
Naiko, L. V.
Naiko, I. V.
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:: anode layer
plasma lens
plasma accelerator
plasma jet
space charge; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-6 z 6

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies