Wszystkie pola: thin gate oxide

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The effect of high temperature annealing on fluorine distribution profile and electro-physical properties of thin gate oxide fluorinated by silicon dioxide RIE CF4 plasma
Autorzy:: Kalisz, Małgorzata
Współwytwórcy:: Głuszko, Grzegorz
Beck, Romuald B.
Data publikacji:: 2010
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors
Autorzy:: Ohata, A.
Ritzenthaler, R.
Faynot, O.
Cristoloveanu, S.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MOSFET
SOI
ultra-thin silicon
multiple-gate
mobility
coupling effect
thin gate oxide
gate-induced floating body effect
drain-induced virtual substrate biasing; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors
Autorzy:: Ohata, A.
Ritzenthaler, R.
Faynot, O.
Cristoloveanu, S.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: MOSFET
SOI
ultra-thin silicon
multiple-gate
mobility
coupling effect
thin gate oxide
gate-induced floating body effect
drain-induced virtual substrate biasing; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Nanoscale evaluation of thin oxide film homogeneity with combined shear force emission microscope
Autorzy:: Sikora, A.
Gotszalk, T.
Szeloch, R.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: AFM
field emission
shear force microscopy
gate oxide tests; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja