Autor: Borysiuk, Jolanta - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Borysiuk, Jolanta" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-7 z 7

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Systemic consequences of disorder in magnetically self-organized topological $MnBi_{2}Te_{4}/(Bi_{2}Te_{3})_{n}$ superlattices
Autorzy:: Konczykowski, Marcin
Sobczak, Kamil
Krusin-Elbaum, Lia
Borysiuk, Jolanta
Park, Kyungwha
Tokarczyk, Mateusz
Wołoś, Agnieszka
Kołodziej, Jacek
Grasza, Krzysztof
Avdonin, Andrei
Fedorchenko, Irina
Turczyniak-Surdacka, Sylwia
Skupiński, Paweł
Abaloszewa, Irina
Sitnicka, Joanna
Deng, Haiming
Olszowska, Natalia
Kowalski, Bogdan J.
Adamus, Zbigniew
Reszka, Anna
Data publikacji:: 2022
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Recognition and characterization of defects in GaN epilayers
Autorzy:: Jezierska, Elżbieta
Współwytwórcy:: Borysiuk, Jolanta
Instytut Fizyki PAN
Politechnika Warszawska. Wydział Inżynierii Materiałowej
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Efficient emission from InAlGaAs single quantum dots with low lattice misfit and AlGaAs indirect bandgap barrier
Współwytwórcy:: Korona, Krzysztof Piotr (1964- ). Autor
Papierska, Joanna. Autor
Słupiński, Tomasz. Autor
Borysiuk, Jolanta. Autor
Data publikacji:: 2016
Tematy:: Stopy (materiałoznawstwo)
Mikroskop sił atomowych
Kropki kwantowe
Fotoluminescencja; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Mechanizm spontanicznego zarodkowania i wzrostu techniką MBE oraz właściwości nanodrutów GaN
Współwytwórcy:: Żytkiewicz, Zbigniew Ryszard
Borysiuk, Jolanta
Wierzbicka, Aleksandra (fizyk)
Tchutchulashvili, Giorgi
Kłosek, Kamil
Sobańska, Marta (fizyk)
Data publikacji:: 2016
Tematy:: Nanokryształy
Dyfraktometr rentgenowski - stosowanie
Azotek galu
Skaningowy mikroskop elektronowy - stosowanie
Elektrony - stosowanie - technika
Związki glinu
Półprzewodniki - materiały - technologia; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
Współwytwórcy:: Wójcik, Marek
Caban, Piotr
Borysiuk, Jolanta
Strupiński, Włodzimierz
Sathish, N.
Pathak, A. P.
Gaca, Jarosław
Turos, Andrzej
Data publikacji:: 2008
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si
Współwytwórcy:: Sobańska, Marta
Wierzbicka, Aleksandra
Borysiuk, Jolanta
Reszka, Anna
Tchutchulashvili, Giorgi
Kłosek, Kamil.
Żytkiewicz, Zbigniew R.
Instytut Fizyki PAN
Data publikacji:: 2012
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
Współwytwórcy:: Żytkiewicz, Zbigniew R.
Borysiuk, Jolanta
Reszka, Anna
Sobańska, Marta
Wierzbicka, Aleksandra
Łusakowska, Elżbieta
Kłosek, Kamil.
Instytut Fizyki PAN
Data publikacji:: 2011
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-7 z 7

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "Borysiuk, Jolanta" wg kryterium: Autor