- Tytuł:
- Modelling of spintronic devices for application in random access memory
- Autorzy:
-
Politanskyi, Ruslan
Vistak, Maria
Veryga, Andriy
Ruda, Tetyana - Data publikacji:
- 2020
- Słowa kluczowe:
-
STT-MRAM
spin-polarized current
binary symmetric channel
prąd spolaryzowany spinowo
symetryczny kanał binarny - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech