- Tytuł:
- Technology and characterisation of GaAsN/GaAs heterostructures for photodetector applications
- Autorzy:
-
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Pucicki, D.
Boratyński, B.
Radziewicz, D.
Tłaczała, M.
Serafińczuk, J.
Poloczek, P.
Sęk, G.
Misiewicz, J. - Data publikacji:
- 2008
- Słowa kluczowe:
-
diluted nitrides
atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy technique
AP MOVPE
GaAsN/GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors
DC I-V characteristics
spectral response - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł