Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Biblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaBiblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie

Wyszukujesz frazę "InAs/GaAs" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Wpływ grubości epitaksjalnych warstw InAs na GaAs wykonywanych w technologii MBE, na ich parametry transportu ładunków elektrycznych
    Autorzy:
    Wolkenberg, A.
    Przesławski, T.
    Data publikacji:
    2007
    Słowa kluczowe:
    InAs/GaAs
    transport ładunku
    hopping po stanach donorowych
    hopping po stanach międzypowierzchni podłoże-warstwa
    epitaksja z wiązek molekularnych
    MBE
    transport properties
    hopping on donor states
    hopping on the states at the interface substrate-layer
    molecular beam epitaxy
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Wybrane problemy materiałowe w przemyśle elektronicznym: wpływ grubości warstwy epitaksjalnej InAs na podłożu GaAs <100> na jej jakość krystaliczną i półprzewodnikową : miniaturyzacja w technologii krzemowej
    Autorzy:
    Wolkenberg, A.
    Przesławski, T.
    Regiński, K.
    Bąk-Misiuk, J.
    Kaniewski, J.
    Data publikacji:
    2000
    Słowa kluczowe:
    przemysł elektroniczny
    warstwa epitaksjalna
    warstwa półprzewodnikowa
    warstwa epitaksjalna InAs
    podłoże GaAs
    grubość warstwy
    jakość krystalograficzna
    jakość półprzewodnikowa
    miniaturyzacja
    technologia krzemowa
    semiconductor electronic industry
    epitaxial thickness
    InAs epitaxial layers
    GaAs wafers
    crystallographic quality
    semiconductor quality
    miniaturization
    silicon technology
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Third generation infrared detectors
    Autorzy:
    Rogalski, A.
    Data publikacji:
    2006
    Słowa kluczowe:
    pierwsza generacja detektorów podczerwieni
    druga generacja detektorów podczerwieni
    trzecia generacja detektorów podczerwieni
    fotodiody z HgCdTe
    fotorezystory AlGaAs/GaAs ze studni kwantowych
    supersieci InAs/GalnSb drugiego typu
    first generation infrared detectors
    second generation infrared detectors
    third generation detectors
    HgCdTe photodiodes
    AIGaAs/GaAs quantum well infrared photodetectors
    type II InAs/GalnSb superlattices
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Artykuł
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies