Temat: InGaAs - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: LP-MOVPE growth and properties of high Si-doped InGaAs contact layer for quantum cascade laser applications
Autorzy:: Ściana, B.
Badura, M.
Dawidowski, W.
Bielak, K.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Szyszka, A.
Żelazna, K.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: InGaAs/InP heterostructures
silicon doping
InGaAs plasmon-contact layer
quantum cascade laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Photodiode with resonant cavity based on InGaAs/InP for 1.9 µm band
Autorzy:: Zynek, J.
Jasik, A.
Strupiński, W.
Rutkowski, J.
Jagoda, A.
Przyborowska, K.
Jakieła, R.
Piersa, M.
Wnuk, A.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: RCE photodetector
InGaAs photodiode; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Influence of a charge region on the operation of InGaAs/InAlAs/InP avalanche photodiodes
Autorzy:: Jurenczyk, J.
Zak, D.
Kaniewski, J.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: avalanche photodiode
device modeling
InGaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Influence of a charge region on the operation of InGaAs/InAlAs/InP avalanche photodiodes
Autorzy:: Jurenczyk, J
Zak, D
Kaniewski, J
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: avalanche photodiode
device modeling
InGaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)
Autorzy:: Jasik Agata
Współwytwórcy:: Kosiel Kamil
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: heterostructure
In/InGaAs
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
heterostruktura
MOVPE
InP/InGaAs
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 4
Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej = The investigation of the non-ideal structure of the GaAs(P)/GaAs superlattice by means of XRD technique
Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej
Autorzy:: Wójcik Marek
Współwytwórcy:: Gaca Jarosław
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: supersieć
XRD
InGaAs/GaAsP
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
superlattice
InGaAs.GaAsP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy
Autorzy:: Kowalczyk, A. E.
Ornoch, L.
Muszalski, J.
Kaniewski, J.
Bąk-Misiuk, J.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: InGaAs
deep centers
deep level transient spectroscopy (DLTS); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Some problems of molecular beam epitaxy growth of epitaxial structures of semiconductor lasers for a 980 nm band
Autorzy:: Kosmala, M.
Regiński, K.
Kosiel, K.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: InGaAs quantum-well lasers
molecular beam epitaxy
optical pyrometry; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Reciprocal lattice mapping of InGaAs layers grown on InP (001) and GaAs (001) substrates
Autorzy:: Bąk-Misiuk, J.
Kaniewski, J.
Domagała, J.
Regiński, K.
Adamczewska, J.
Trela, J.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: InGaAs
molecular beam epitaxy
X-ray diffraction
diffuse scattering; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Thermal management of GaInNAs/GaAs VECSELs
Autorzy:: Sokół, A. K.
Sarzała, R. P.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: thermal management
VECSEL
semiconductor disk laser
SDL
GaInNAs
InGaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "InGaAs" wg kryterium: Temat