Temat: InGaN/GaN - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "InGaN/GaN" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-10 z 17

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Characteristics of quantum beats in InGaN/GaN quantum well
Autorzy:: Gao, F.
Xiong, G.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: InGaN/GaN
quantum wells
quantum beats
effective mass; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature
Autorzy:: Veleschuk, V
Vlasenko, A
Kisselyuk, M
Vlasenko, Z
Khmil, D
Borshch, V
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: electroluminescence at reverse bias
InGaN/GaN heterostructures
defect; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature
Autorzy:: Veleschuk, V
Vlasenko, A
Kisselyuk, M
Vlasenko, Z
Khmil, D
Borshch, V
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: electroluminescence at reverse bias
InGaN/GaN heterostructures
defect; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers
Autorzy:: Kuc, M.
Sokół, A. K.
Piskorski, Ł.
Dems, M.
Wasiak, M.
Sarzała, R. P.
Czyszanowski, T.
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: edge-emitting lasers
InGaN/GaN
computer simulation
ITO
optical confinement; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers
Autorzy:: Kuc, M.
Sokół, A. K.
Piskorski, Ł.
Dems, M.
Wasiak, M.
Sarzała, R. P.
Czyszanowski, T.
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: edge-emitting lasers
InGaN/GaN
computer simulation
ITO
optical confinement; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Model termiczny lasera azotkowego
Autorzy:: Kuc, M.
Sarzała, R. P.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: przyrządy półprzewodnikowe
lasery złączowe InGaN/GaN
materiały azotkowe
analiza rozpływu ciepła
matryce laserów azotkowych
semiconductor devies
InGaN/GaN laser diodes
nitrides
heat flux spreading analysis
nitride laser diode arrays; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Structure optimisation of short-wavelength ridge-wavequide InGaN/GaN diode lasers
Autorzy:: Karbownik, P.
Sarzała, R. P.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: 405-nm lasers
InGaN/GaN diode laser
simulation of a laser operation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Wpływ warstwy ZnO na parametry pracy azotkowych laserów o emisji krawędziowej
Autorzy:: Dąbrówka, Dominika
Sarzała, Robert P.
Data publikacji:: 2023
Słowa kluczowe:: zielony laser półprzewodnikowy
InGaN/GaN
ZnO
symulacja komputerowa
green diode laser
computer simulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Characterization of InGaN structures grown by epitaxial lateral overgrowth over a-plane GaN template
Autorzy:: Miasojedovas, S.
Jursenas, S.
Kuokstis, E.
Zukauskas, A.
Gaevski, M.E.
Lee, J.
Shatalov, M.
Gong, Z.
Adivarahan, V.
Sattu, A.
Mokina, I.
Yang, J.
Asif Khan, M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: luminescence
InGaN/GaN
non-polar
multiple quantum wells (MQWs)
epitaxial lateral overgrowth (ELOG)
quantum dots; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Thermal model of nitride edge-emitting laser diodes
Autorzy:: Kuc, M.
Sarzała, R. P.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: InGaN/GaN laser diode
simulation of a laser diode operation
thermal model
heat flux
spreading analysis; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 17

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "InGaN/GaN" wg kryterium: Temat