Temat: InGaN quantum wells

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Photoluminescence spectroscopy for the evaluation of band potential roughness of InGaN active layers
Autorzy:: Kazlauskas, K.
Jursenas, S.
Miasojedovas, S.
Pobedinskas, P.
Tamulaitis, G.
Zukauskas, A.
Ivanov, V.Y.
Godlewski, M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: photoluminescence
InGaN quantum wells
Monte Carlo simulation
exciton hopping; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Optimization of p-cladding layer utilizing polarization doping for Blue-Violet InGaN laser diodes
Autorzy:: AKTAŞ, Muhammed
KAFAR, Anna
STANCZYK, Szymon
MARONA, Lucja
SCHIAVON, Dario
GRZANKA, Szymon
WIŚNIEWSKI , Przemysław
PERLIN, Piotr
Współwytwórcy:: AKTAŞ, Muhammed
Data publikacji:: 2024-07-08
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
Optoelectronics
Laser Diode
III-Nitride Semiconductor
InGaN Quantum Wells
Polarization Doping; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Harnessing III-Nitride Built-In Field in Multi-Quantum Well LEDs - dataset
Autorzy:: Chlipała, Mikołaj
Turski, Henryk
Współwytwórcy:: Chlipała, Mikołaj
Data publikacji:: 2024-06-14
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
multiple QW
nitride semiconductors
InGaN quantum wells
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Polarization - Doped InGaN LEDs and Laser Diodes for Broad Temperature Range Operation
Autorzy:: AKTAŞ, Muhammed
GRZANKA, Szymon
MARONA, Lucja
GOSS, Jakub
STASZCZAK, Grzegorz
KAFAR, Anna
PERLIN, Piotr
Współwytwórcy:: AKTAŞ, Muhammed
Data publikacji:: 2024-09-13
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
optoelectronics
laser diode
LED
cryogenic temperature
III-nitride semiconductor
InGaN quantum wells
polarization doping; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Electrical and optical characteristics for the ultra-thin InGaN LED obtained before and after transfer
Autorzy:: Chlipała, Mikołaj
Akritidis, Konstantinos
Iryna Levchenko
Gibasiewicz, Krzysztof
Brstilo, Tara
Billet, Maximilien
Van Dorpe, Pol
Fiuczek, Natalia
Sawicka, Marta
Kuyken, Bart
Turski, Henryk
Współwytwórcy:: Chlipała, Mikołaj
Data publikacji:: 2025-04-04
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
multiple QW
nitride semiconductors
InGaN quantum wells
epitaxy
transfer printig; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Characteristics of quantum beats in InGaN/GaN quantum well
Autorzy:: Gao, F.
Xiong, G.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: InGaN/GaN
quantum wells
quantum beats
effective mass; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Characterization of InGaN structures grown by epitaxial lateral overgrowth over a-plane GaN template
Autorzy:: Miasojedovas, S.
Jursenas, S.
Kuokstis, E.
Zukauskas, A.
Gaevski, M.E.
Lee, J.
Shatalov, M.
Gong, Z.
Adivarahan, V.
Sattu, A.
Mokina, I.
Yang, J.
Asif Khan, M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: luminescence
InGaN/GaN
non-polar
multiple quantum wells (MQWs)
epitaxial lateral overgrowth (ELOG)
quantum dots; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja