Temat: MBE epitaxy - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Charakterystyki mocy lasera VECSEL w funkcji relaksacji sieci krystalicznej
Autorzy:: Jasik, A.
Sankowska, I.
Broda, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Trajnerowicz, A.
Wójcik-Jedlińska, A.
Muszalski, J.
Wasiak, M.
Sokół, A.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: VECSEL
epitaksja MBE
relaksacja sieci
MDS
MBE epitaxy
strain relaxation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb
Autorzy:: Kaniewski, J.
Jasik, A.
Regiński, K.
Sankowska, I.
Pierścińska, D.
Pierściński, K.
Papis, E.
Wawro, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: detektory podczerwieni
supersieci ll rodzaju
InAs/GaSb
epitaksja MBE
infrared detectors
type-ll superlattice
epitaxy MBE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: The multiscale modelling of thin films growth
Autorzy:: Kopernik, M.
Kot, R.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: automat komórkowy
model wzrostu
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
cellular automata (CA)
growth model
molecular beam epitaxy (MBE); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Properties and origin of oval defects in epitaxial structures grown by molecular beam epitaxy
Autorzy:: Szerling, A.
Kosiel, K.
Wójcik-Jedlińska, A.
Płuska, M.
Bugajski, M.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: oval defects
A3B5
molecular beam epitaxy (MBE)
spectrally resolved photoluminescence
scanning electron microscopy (SEM)
cathodoluminescence; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition
Autorzy:: Przesławski, T.
Wolkenberg, A.
Kaniewski, J.
Regiński, K.
Jasik, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: Hall sensors
magnetoresistors
InGaAs/InP heterostructures
electronic transport
geometric correction factor
molecular beam epitaxy (MBE)
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Epitaksja struktur laserów kaskadowych
Autorzy:: Gutowski, P.
Sankowska, I.
Kubacka-Traczyk, J.
Gołaszewska-Malec, K.
Bugajski, M.
Grzonka, J.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
kwantowe lasery kaskadowe
QCL
quantum cascade laser
molecular beam epitaxy
Device Fabrication; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Technologia epitaksji z wiązek molekularnych struktur laserów kaskadowych InAlAs/InGaAs/InP na pasmo średniej podczerwieni
Autorzy:: Gutowski, P.
Pierściński, K.
Karbownik, P.
Morawiec, M.
Bugajski, M.
Sankowska, I.
Pierścińska, D.
Serebrennikova, O.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
kwantowe lasery kaskadowe
QCL
InGaAs
InAIAs
molecular beam epitaxy
quantum cascade laser
InAlAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE
Autorzy:: Kaczmarczyk, M.
Piotrowski, T.
Kaniewska, M.
Engström, O.
Pisicator, J.
Sadeghi, M.
Pawłowski, S.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: kropki kwantowe
InAs/GaAs
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
mikroskopia sił atomowych
AFM
quantum dots
molecular beam epitaxy
atomic force microscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: The picosecond ultrasonic waves in Au/V multilayers
Autorzy:: Aleksiejuk, M.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: fala naddźwiękowa pikosekundowa w Au/V
propagacja fal
supersieć
MBE
picosecond ultrasonic waves in Au/V
propagation of waves
superlattice
molecular beam epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Wpływ grubości epitaksjalnych warstw InAs na GaAs wykonywanych w technologii MBE, na ich parametry transportu ładunków elektrycznych
Autorzy:: Wolkenberg, A.
Przesławski, T.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: InAs/GaAs
transport ładunku
hopping po stanach donorowych
hopping po stanach międzypowierzchni podłoże-warstwa
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
transport properties
hopping on donor states
hopping on the states at the interface substrate-layer
molecular beam epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "MBE epitaxy" wg kryterium: Temat