Temat: MOSFET modeling - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "MOSFET modeling" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-10 z 15

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Weryfikacja możliwości globalnej ekstrakcji parametrów tranzystora MOS z użyciem modelu EKV
Autorzy:: Bartnik, Ł.
Aarabas, J.
Szostak, S.
Tomaszewski, D.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: model tranzystora MOS
metody optymalizacji
MOSFET modeling
optimization methods; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: A rapid analysis of very short channel MOSFET performances by using a dynamic simple model
Autorzy:: Rabhi, A.
El`Hadj Bekka, R.
Benhamadouche, A.
Rahmoune, F.
Charlot, J.-J.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: model tranzystora polowego MOS
MOSFET modeling
BSIM3V3
Verilog-A; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: A rapid analysis of very short channel MOSFET performances by using a dynamic simple model
Autorzy:: Rabhi, A.
El`Hadj Bekka, R.
Benhamadouche, A.
Rahmoune, F.
Charlot, J.-J.
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: model tranzystora polowego MOS
MOSFET modeling
BSIM3V3
Verilog-A; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Model prądu drenu i pojemności w dwubramkowym tranzystorze MOS o krótkim kanale
Autorzy:: Sawicka, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Tomaszewski, D.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: modele ładunkowe
modele typu compact
tranzystor dwubramkowy
efekt krótkiego kanału
charge-based modeling
compact modeling
DG MOSFET
short-channel effects; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Nowa struktura tranzystora unipolarnego mocy SVMOS
Autorzy:: Ruta, Ł.
Lisik, Z.
Kalinowski, A.
Podgórski, J.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: MOSFET
przyrząd unipolarny mocy
bariera Schottky'ego
modelowanie
unipolar power device
Shottky barrier
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime
Autorzy:: Osthaug, J.
Fjeldly, T.A.
Iniguez, B.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: sub-100 nm MOSFET
two-dimensional device modeling
conformal mapping
threshold voltage
subthreshold regime
leakage current; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime
Autorzy:: Osthaug, J.
Fjeldly, T.A.
Iniguez, B.
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: sub-100 nm MOSFET
two-dimensional device modeling
conformal mapping
threshold voltage
subthreshold regime
leakage current; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
Autorzy:: Grabiński, W.
Bucher, M.
Sallese, J.-M.
Krummenacher, F.
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: ultra deep submicron (UDSM) technology
compact modeling
EKV MOS transistor model
MOSFET
matching
low power
RF applications; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
Autorzy:: Grabiński, W.
Bucher, M.
Sallese, J.-M.
Krummenacher, F.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: ultra deep submicron (UDSM) technology
compact modeling
EKV MOS transistor model
MOSFET
matching
low power
RF applications; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
MOSFET
DIMOSFET
wertykalny tranzystor
modelowanie
dielektryki o wysokiej stałej dielektrycznej
silicon carbide
vertical transistor modeling
high-k dielectrics; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 15

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "MOSFET modeling" wg kryterium: Temat