- Tytuł:
- Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami
- Autorzy:
-
Węgierek, P.
Kowalski, M. - Data publikacji:
- 2009
- Słowa kluczowe:
-
arsenek galu
implantacja jonowa
defekty radiacyjne
przewodność skokowa
przewodność pasmowa
gallium arsenide
ion implantation
radiation defects
hopping conductivity
banding conductivity - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł