Temat: compact model - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "compact model" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-10 z 41

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example
Autorzy:: Grabiński, W.
Tomaszewski, D.
Lemaitre, L.
Jakubowski, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: Verilog-AMS
compact model coding
SOI MOSFET; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example
Autorzy:: Grabiński, W.
Tomaszewski, D.
Lemaitre, L.
Jakubowski, A.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: Verilog-AMS
compact model coding
SOI MOSFET; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Double-gate MOSFET Model Implemented in Verilog-AMS Language for the Transient Simulation and the Configuration of Ultra Low-power Analog Circuits
Autorzy:: Smaani, Billel
Meraihi, Yacin
Nafa, Fares
Benlatreche, Mohamed Salah
Akroum, Hamza
Latreche, Saida
Data publikacji:: 2021
Słowa kluczowe:: double-gate MOSFET
compact model
ultra low power analog circuits; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Double-gate MOSFET Model Implemented in Verilog-AMS Language for the Transient Simulation and the Configuration of Ultra Low-power Analog Circuits
Autorzy:: Smaani, Billel
Meraihi, Yacin
Nafa, Fares
Benlatreche, Mohamed Salah
Akroum, Hamza
Latreche, Saida
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: double-gate MOSFET
compact model
ultra low power analog circuits; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Large-Signal RF Modeling with the EKV3 MOSFET Model
Autorzy:: Chalkiadaki, M. A.
Buchar, M.
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: compact model
EKV3 model
large-signal
load-pull
MOSFET model
radio frequency; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Large-Signal RF Modeling with the EKV3 MOSFET Model
Autorzy:: Chalkiadaki, M. A.
Buchar, M.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: compact model
EKV3 model
large-signal
load-pull
MOSFET model
radio frequency; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Modelling thermal properties of large LED modules
Autorzy:: Ptak, Przemysław
Górecki, Krzysztof
Dziurdzia, Barbara
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: LED module
compact thermal model
computations
measurements; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: IGBT static model based on diffusion equation implemented in SPICE source code
Autorzy:: Starzak, Ł.
Napieralski, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: IGBT
model kompaktowy
model modułowy
SPICE
przyrządy półprzewodnikowe mocy
compact model
modular model
power semiconductor devices; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Variation Analysis of CMOS Technologies Using Surface-Potential MOSFET Model
Autorzy:: Mattausch, H. J.
Yumisaki, A.
Sadachika, N.
Kaya, A.
Johguchi, K.
Koide, T.
Miura-Mattausch, M.
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: compact model
fabrication inaccuracy
field-effect transistor
macroscopic
microscopic
potential at channel surface
silicon
within wafer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Variation Analysis of CMOS Technologies Using Surface-Potential MOSFET Model
Autorzy:: Mattausch, H. J.
Yumisaki, A.
Sadachika, N.
Kaya, A.
Johguchi, K.
Koide,T.
Miura-Mattausch, M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: compact model
fabrication inaccuracy
field-effect transistor
macroscopic
microscopic
potential at channel surface
silicon
within wafer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 41

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies