Temat: defekty radiacyjne - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Własności linii w w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami
Autorzy:: Surma, B.
Wnuk, A.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: defekty radiacyjne
linia W
fotoluminescencja
radiation defects
W line
photoluminescene; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Własności linii w w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami
Optical properties of W line for neutron irradiated MCz-Si and FZ-Si
Autorzy:: Surma, B.
Wnuk, A.
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: defekty radiacyjne
linia W
fotoluminescencja
radiation defects
W line
photoluminescene; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Charakterystyki czasowe skokowej wymiany ładunków w arsenku galu napromieniowanym jonami H⁺
Autorzy:: Węgierek, P.
Billewicz, P.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: implantacja jonowa
defekty radiacyjne
przewodnictwo skokowe
ion implantation
radiation defects
hopping conductivity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Zmiennoprądowe przewodnictwo elektryczne krzemu implantowanego jonami
Autorzy:: Węgierek, P.
Kowalski, M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: krzem
implantacja jonowa
konduktywność
defekty radiacyjne
przewodność skokowa
silicon
ion implantation
conductivity
radiation defects
hopping conductivity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ Ions
Autorzy:: Węgierek, P.
Billewicz, P.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: radiation defects
activation energy
hopping conductivity
gallium arsenide
defekty radiacyjne
energia aktywacji
przewodność skokowa
arsenek galu; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie
Autorzy:: Węgierek, P.
Zhukowski, P.
Billewicz, P.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: defekty radiacyjne
energia aktywacji
przewodność skokowa, krzem
implantacja jonowa
radiation defects
activation energy
hopping conductivity
silicon
ion implantation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4
Własności linii wW w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami
Własności linii wW w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami = Optical properties of W line for neutron irradiated MCz-Si and FZ-Si
Autorzy:: Surma Barbara
Współwytwórcy:: Wnuk Artur
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
fotoluminescencja
Electronic - journal - materials
linia W
defekty radiacyjne
radiation defects
photoluminescence
W line
Materiały elektroniczne
Electronic - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami
Autorzy:: Węgierek, P.
Kowalski, M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: arsenek galu
implantacja jonowa
defekty radiacyjne
przewodność skokowa
przewodność pasmowa
gallium arsenide
ion implantation
radiation defects
hopping conductivity
banding conductivity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja