- Tytuł:
- Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region
- Autorzy:
-
Pucicki, D.
Zborowska-Lindert, I.
Ściana, B.
Radziewicz, D.
Boratyński, B. - Data publikacji:
- 2007
- Słowa kluczowe:
-
p-i-n photodetector
diluted nitrides
(In,Ga)(As,N)
GaAs-based photodetectors
double quantum well (DQW)
heterostructures - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech