Temat: gallium arsenide - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors
Autorzy:: Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał
Data publikacji:: 2024
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors
Autorzy:: Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał
Data publikacji:: 2024
Słowa kluczowe:: gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Thermal Desorption of Argon Implanted into Gallium Arsenide
Autorzy:: Turek, Marcin
Droździel, Andrzej
Pyszniak, Krzysztof
Węgierek, Paweł
Data publikacji:: 2022
Słowa kluczowe:: thermal desorption spectroscopy
gallium arsenide
ion implantation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Thermal Desorption of Argon Implanted into Gallium Arsenide
Autorzy:: Turek, Marcin
Droździel, Andrzej
Pyszniak, Krzysztof
Węgierek, Paweł
Data publikacji:: 2022
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: thermal desorption spectroscopy
gallium arsenide
ion implantation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy:: Miczek, M.
Adamowicz, B.
Hashizume, T.
Hasegawa, H.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: gallium arsenide, gallium nitride, surface states, bulk traps, photoluminescence, surface photovoltage.; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
Autorzy:: Hruban, A.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Materna, A.
Dalecki, W.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: SI GaAs
obróbka termiczna
EPD
gallium arsenide
LEC thermal annealing; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Autorzy:: Hruban, A.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Materna, A.
Dalecki, W.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: SI GaAs
obróbka termiczna
EPD
gallium arsenide
LEC thermal annealing; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych implantowanych półprzewodników
Autorzy:: Kołtunowicz, T.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: stanowisko pomiarowe
półprzewodniki
arsenek galu
implantacja
measurement station
semiconductors
gallium arsenide
implantation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
Autorzy:: Hruban, A.
Orłowski, W.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Mirowska, A.
Rojek, A.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: arsenek galu
SI GaAs
metoda Czochralskiego
LEC
orientacja
gallium arsenide
Czochralski method
orientation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), 209Bi (710 MeV) and 238U (1300 MeV) swift ions
Autorzy:: Didyk, A. Y.
Komarov, F. F.
Vlasukova, L. A.
Gracheva, E. A.
Hofman, A.
Yuvchenko, V. N.
Wiśniewski, R.
Wilczyńska, T.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: semiconductors
gallium arsenide
swift heavy ions
inelastic energy loss
atomic force microscopy (AFM); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "gallium arsenide" wg kryterium: Temat