Temat: gallium nitride - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "gallium nitride" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-10 z 72

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Influence of the columnar structure of heteroepitaxial nitride layers on the transport of electrons
Autorzy:: Szyszka, A.
Paszkiewicz, B.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: gallium nitride
columnar structure
electronic transport; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Nanostars in Highly Si-Doped GaN
Autorzy:: Sawicka, Marta
Współwytwórcy:: Sawicka, Marta
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
gallium nitride
doping
electrochemical etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:: Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Muziol, Grzegorz
Żak, Mikolaj
Hajdel, Mateusz
Siekacz, Marcin
Feduniewicz-Żmuda, Anna
Skierbiszewski, Czesław
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: gallium nitride
molecular beam epitaxy
contacts; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:: Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Muziol, Grzegorz
Żak, Mikolaj
Hajdel, Mateusz
Siekacz, Marcin
Feduniewicz-Żmuda, Anna
Skierbiszewski, Czesław
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: gallium nitride
molecular beam epitaxy
contacts; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Pd/GaN(0001) interface properties
Autorzy:: Grodzicki, M.
Mazur, P.
Zuber, S.
Pers, J.
Ciszewski, A.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: gallium nitride
palladium
metal-semiconductor junction; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Podłoża alternatywne stosowane w epitaksji azotku galu
Autorzy:: Korbutowicz, R.
Dumiszewska, E.
Grabowska, J.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: podłoża
azotek galu
epitaksja
substrate
gallium nitride
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Properties comparison of GaN epilayers deposited under different growth temperatures
Autorzy:: Wang, P.
Yan, H.
Cao, B.
Wei, W.
Gan, Z.
Liu, Z.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: gallium nitride
metalorganic chemical vapour deposition
growth temperature; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Analiza aktualnych trendów rozwojowych w zakresie fizyki i technologii azotkowych laserów złączowych w kontekście możliwości ich wytwarzania na podłożu GaN
Autorzy:: Nakwaski, W.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: lasery
lasery azotkowe
GaN
azotek galu
lasers
nitride lasers
gallium nitride; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures-data set
Autorzy:: Turski, Henryk
Chlipala, Mikolaj
Zdanowicz, Ewelina
Rogowicz, Ernest
Muziol, Grzegorz
Moneta, Joanna
Grzanka, Szymon
Krysko, Marcin
Syperek, Marcin
Kudrawiec, Robert
Skierbiszewski, Czeslaw
Współwytwórcy:: Turski, Henryk
Data publikacji:: 2024-07-15
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
quantum wells; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy:: Miczek, M.
Adamowicz, B.
Hashizume, T.
Hasegawa, H.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: gallium arsenide, gallium nitride, surface states, bulk traps, photoluminescence, surface photovoltage.; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 72

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies