Temat: gate dielectrics - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Recent advances in gate dielectrics and polarised light emission from GaN
Autorzy:: Pearton, S. J.
Abernathy, C. R.
Gila, B. P.
Onstine, A. H.
Overberg, M. E.
Thaler, G. T.
Jihyun, K.
Luo, B.
Mehandru, R.
Ren, F.
Park, Y. D.
Data publikacji:: 2002
Słowa kluczowe:: GaN
magnetic semiconductors
gate dielectrics; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Challenges in scaling of CMOS devices towards 65 nm node
Autorzy:: Jurczak, M.
Veloso, A.
Rooyackers, R.
Augendre, E.
Mertens, S.
Rotschild, A.
Scaekers, M.
Lindsay, R.
Lauwers, A.
Henson, K.
Severi, S.
Pollentier, I.
Keersgieter de, A.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: CMOS devices
gate dielectrics
shallow junctions
silicide
gate stack
lithography
gate patterning
silicon recess
device integration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Challenges in scaling of CMOS devices towards 65 nm node
Autorzy:: Jurczak, M.
Veloso, A.
Rooyackers, R.
Augendre, E.
Mertens, S.
Rotschild, A.
Scaekers, M.
Lindsay, R.
Lauwers, A.
Henson, K.
Severi, S.
Pollentier, I.
Keersgieter de, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: CMOS devices
gate dielectrics
shallow junctions
silicide
gate stack
lithography
gate patterning
silicon recess
device integration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ procesów utleniania i wygrzewania w atmosferze zawieraj ˛acej fosfor lub azot na jakos´c mi ˛ ´ edzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik w strukturze MOS Ti/SiO2/4H-SiC
Autorzy:: Kamiński, Maciej
Brzozowski, Ernest
Taube, Andrzej
Sadowski, Oskar
Król, Krystian
Guziewicz, Marek
Data publikacji:: 2021
Słowa kluczowe:: SiC
stan powierzchniowy
dielektryk bramkowy
międzypowierzchnia dielektryk/półprzewodnik
POCl3
NO
surface state
gate dielectrics
semiconductor/dielectric interface; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Challenges for 10 nm MOSFET process integration
Autorzy:: Östling, M.
Malm, B. G.
Haartman, M.
Hallstedt, J.
Zhang, Z.
Hellström, P. E.
Zhang, S.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: sstrained silicon
silicon-germanium
silicon-on-insulator (SOI)
high-k dielectrics
hafnium oxide
nanowire
low frequency noise
mobility
metal gate; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Challenges for 10 nm MOSFET process integration
Autorzy:: Östling, M.
Malm, B. G.
Haartman, M.
Hallstedt, J.
Zhang, Z.
Hellström, P. E.
Zhang, S.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: sstrained silicon
silicon-germanium
silicon-on-insulator (SOI)
high-k dielectrics
hafnium oxide
nanowire
low frequency noise
mobility
metal gate; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja